新闻动态_安徽伟凌创芯微电子有限责任公司

✕

首页 > 新闻中心 > 新闻动态

EMI伟凌创芯EMI504HF08VA pin-to-pin国产替代方案 2026-11-12

ISSI IS61WV5128EDBLL是一颗4Mbit高速异步SRAM，512K×8组织，访问时间8ns/10ns两档，工业级-40℃~+85℃，44-pin TSOP-II、36-pin SOJ、36-pin mini BGA多种封装可选，并且每字节带Hamming码ECC校验，能检测并纠正每字节1位错误。

MORE
EMI SRAM工业控制存储芯片Pin-to-Pin兼容替代MB85R8M1TA 2026-11-06

在工业控制存储芯片选型中，供应链波动一直是硬件工程师与采购团队需要持续应对的难题。富士通MB85R8M1TA作为一款常用8Mbit FRAM，在工控采集、现场控制等场景应用广泛，但长期供货紧张，给项目量产、BOM维护带来不小压力。针对这一痛点，伟凌创芯EMI SRAM推出适配方案，可实现Pin-to-Pin评估替代MB85R8M1TA，为工业存储选型提供稳定的国产备选。

MORE
MCU SRAM一个bit失效问题分析 2026-10-20

MCU运行时SRAM单比特故障，是嵌入式硬件调试常见问题。SRAM单比特失效本质是6T存储单元稳定性受损，无法正常锁存读写数据，失效MCU运行时SRAM单比特故障，是嵌入式硬件调试常见问题。SRAM单比特失效本质是6T存储单元稳定性受损，无法正常锁存读写数据，失效原因包含制造、电气损伤、材料老化、环境干扰、设计裕量不足几类。

MORE
SRAM选型与使用的通用设计原则 2026-10-09

SRAM，全称静态随机存取存储器（Static Random Access Memory），存储核心由六晶体管触发器单元构成，依靠双稳态电路实现0、1两种数据状态的锁存。

MORE
4Mb快速异步SRAM EMI504WF16VA可替代IS61WV25616BLL 2026-09-09

在高速数字系统设计中，异步SRAM作为关键存储器件，其访问速度、功耗特性及封装兼容性直接影响整体系统性能。ISSI推出的IS61WV25616BLL是一款采用高性能CMOS工艺制造的4Mb快速异步SRAM，组织方式为262,144字×16位，凭借其稳定的工艺成熟度和低功耗设计，长期被广泛应用于工业控制、通信设备及嵌入式系统中。

MORE
16Mbit高速sram芯片EMI516可替代IS64WV1024 2026-09-07

在工业嵌入式硬件开发中，35ns及以下访问速度的异步SRAM被划分为快速异步SRAM，常用来做高速临时缓存。面对进口存储芯片供货波动问题，sram芯片EMI516作为国产16Mbit高速异步SRAM，成为不少工程师评估替换进口型号的备选器件。

MORE

首页 < 1 2 3 4 5 > 尾页

上一页下一页

新闻中心: 新闻动态