在计算机存储体系中，根据断电后数据是否保留，存储器主要分为两大类：一类是掉电后数据随之丢失的随机存取存储器（RAM），另一类是掉电后数据能够长期保存的只读存储器（ROM）。早期ROM芯片在重新写入数据前，往往需要借助紫外线照射来擦除原有内容，且写入电压较高，使用时通常只能读取，因此被称为“只读存储器”。

RAM与ROM相比，与中央处理器（CPU）通信时最大的差异体现在数据存取速度上。RAM的读写速度明显快于ROM，因而常被用作程序运行时的临时缓存，而ROM则更适合存放固化的程序代码和静态数据。RAM本身又可细分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。两者的核心区别在于是否需要定期刷新：DRAM依靠电容存储电荷来表征数据，电容会缓慢漏电，因此必须定时刷新以维持高电平状态；而SRAM则完全不需要这种刷新操作。

SRAM之所以能“静态”保持数据，关键在于其基础存储单元——6T结构。所谓6T，即每个存储单元由6个晶体管构成，它们连接成一个双稳态触发器，本质上是一个锁存器电路。只要供电正常，SRAM电路就能无限期锁定当前数据，无需任何刷新干预。SRAM这6个晶体管组成两个相互交叉耦合的反相器，形成一个正反馈环路。当存储“1”时，其中一个反相器输出高电平，另一个输出低电平；存储“0”时电平状态正好相反。这种双稳态设计带来了极高的数据稳定性和极快的读写速度，非常适合用作CPU的高速缓存。

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