计算机内存主要分为DRAM和SRAM。SRAM以其高速片上缓存而著称，经过数十年的发展，已成为技术成熟的产品。SRAM无需周期性刷新即可保持数据，其发展受限于单元面积和读取速度。

MCU通常结合SRAM和闪存使用。在标准配置中，MCU可能包含1~2MB的双块Flash存储器和256KB SRAM。在某些应用场景中，内置RAM可能不足以满足需求，这时需要对单片机进行外扩RAM处理。可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，例如采用国产SRAM芯片EMI7064。

我司伟凌创芯，作为SRAM芯片制造商，将介绍SRAM芯片作为外扩存储的考量因素。

1.串口SRAM芯片：此类芯片采用SOP-8封装，推荐使用EMI7064型号，其容量可达64Mbit，占用单片机I/O引脚较少，广泛应用于多种产品中，是一款性价比高的SRAM芯片。

2.并口SRAM芯片：并口SRAM芯片通常占用较多的单片机I/O引脚。如果应用设计需要较快的数据读取速度，可以考虑使用此类芯片。数据读取速度可达8NS，由于采用六个晶体管的设计，价格较高，适合用于大型工控产品、服务器、金融医疗等设备。

3.伪静态SRAM芯片（也称为PSRAM）：此类芯片通常采用BGA封装，容量同样可达64Mbit，读取速度约为70ns，价格相对并口SRAM芯片更为经济。

综合来看，选择外扩SRAM芯片时，应根据应用设计对数据读取速度的要求、所需容量以及性价比来决定。

安徽伟凌创芯微电子是一家市场导向型的无晶圆半导体公司，专注于SRAM芯片存储、显示驱动、接口转换芯片的设计、生产和销售。我们为行业客户提供高品质、低成本、供货稳定的自主知识产权集成电路产品，产品领域覆盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。